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第 11 屆 iThome 鐵人賽

DAY 11
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Security

認證信息系統安全專業人員(CISSP)學習筆記系列 第 11

安全架構與設計(Security Architecture and Design)

記憶體

  • SRAM
    不需要像DRAM那樣連續刷新,但是需要更多的電晶體,就等於更大,更昂貴,但速度更快,通常用在快取記憶體
  • SDRAM
    與CPU同步,提高速度
  • EDO RAM
    比DRAM快,因為它可以在將第一個資料區塊發送到CPU時捕獲下一個資料區塊
  • BEDO RAM
    於EDO基礎上改良,B代表爆發(burst),可以一次發送更多資料
  • DDR SDRAM
    在時脈的上升和下降週期上執行操作,有2倍的處理速度

非揮發性記憶體(英语:Non-Volatile Memory,缩写:NVM)

  • PROM
    只能編程一次,在此過程中使用的電壓會燒毀連接存儲單元的保險絲
  • EPROM
    E 表示可被紫外線抹除
  • EEPROM
    可抹除,一次一個位元組
  • Flash memory
    抹除功能依區塊(blocks)進行

中斷(Interrupts)

  • 可程式I / O
    CPU將資料發送到I / O並輪詢設備以查看其是否準備就緒。
  • 中斷驅動的I / O
    設備完成工作後,會向CPU發送中斷。
  • 使用DMA的I / O(直接存取記憶體)
    在不使用CPU的情況下在設備和系統記憶體之間傳輸資料的方法。
  • 預先映照的I / O
    設備是受信任的,可以直接訪問記憶體。
  • 完全映照的I / O
    設備不被信任,沒有為設備提供物理地址,而是使用邏輯地址。

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