今天來說明推挽電路 (push-pull circuit) 的原理，筆者認為改為"推拉電路"更為貼切! 其結構為兩個不同 type 的電晶體串接 (p-type, n-type)，以下為上P下N的推挽電路:

這個電路用到兩個電晶體 (Q1:npn, Q2:pnp)，其基極 (base) 再各自串接兩個限流電阻(假設皆為 4.7k)，最前方兩端連接在一起，為信號輸入端，兩個電晶體的射極 (emitter) 各自連接在一起為輸出。當信號輸入為 high 時 (假設為 5V)，上面電晶體(Q1)導通，下面電晶體(Q2)關閉，因為上面電晶體 (Q1) 的 VBE(base-emitter voltage difference) 為 0.7V，所以，此時 A 點為 4.3V，但 Q2 的信號輸入端 base 為 5V (逆偏，因為 Q2 (npn) 的 emitter 電位(VE)必須高於 base (VB)才能導通)，因此，下面電晶體(Q2)關閉。此時，電流由 Q1 的集極 ( collector) 流向射極 (emitter)，再經由 output 出去，是為"推" (push)。

當輸入端為 low 時 (假設為 0V)，Q1 關閉，此時，Q2 的 emitter (VE) 比 base (VB)高於 0.7V 以上，因此，電晶體導通; 此時，A 點的電壓相當於 0V，因此，電流由 output 負載端流向電晶體 Q2，是為"挽" (pull)。

所以，也就造成輸入高電位時，上方的電晶體導通，下方的電晶體關閉; 當輸入為低電位時，上方的電晶體關閉，下方的電晶體就導通 (高上開,低下開) 那你一定有疑問，如果當輸入波形稍微失真，不是理想的方波時，會不會造成 Q1 和 Q2 同時導通 (會造成電路燒毀!)嗎? 答案是不會的! 由以上文章可知，上P下N的結構，由於 BJT 電晶體的特性，高電壓時上面導通，下面無法被驅動，因此關閉; 而當低電位時，上方電晶體無法被驅動，下方電晶體導通; 即便波形有點失真，導通電晶體(Q1 和 Q2)的電壓上下限區間無法重疊，因此無法同時導通!