前言

[Nand Flash] 看懂VT圖 - 2 繪製VT圖
最後一篇要介紹的是VT圖的分析，通常papper或spec中出現VT圖都是用來展示實驗結果，或是解釋如何操作flash，並不會花篇幅解釋其中的意義，這邊會整理幾種Flash常見的狀況，並解釋其對應到VT圖上會有什麼變化，幫助大家了解波形跟Flash狀態之間的關聯，在看到實際的VT圖時，可以大概知道發生了什麼狀況。

1.讀取干擾 Read Disturb

讀取干擾(read disturb)是同一個Cell被讀取許多次之後發生的錯誤，發生的原理可以參考闪存问题之Read Disturb，由於是多次讀取造成微寫入的效果，會使整個page的Vth變大，因此在VT圖上會看到所有波形往右偏移，如下圖1

2.記憶損耗 Memory Wear out

記憶損耗(memnroy wear out)會隨著cell PE cycle(program/erase cycle)增加逐漸產生，詳細說明可參考NAND flash wear-out 、Exploiting Memory Device Wear-Out Dynamics to Improve NAND Flash Memory System Performance，由於氧化層(絕緣層)損壞，會造成Vth無法被精準控制在read level的範圍內，對應到VT圖上的波形就會變矮、變胖，如圖2

另外一個wear out的效應是絕緣層損壞造成erase時電子清不乾淨，因此VT圖上erase狀態的波形會往右移，如圖3

3.資料保留 Data Retention Error

資料保留(data retention)也是Flash運作不可避免的特性，如同電子進入floating gate是機率性的，雖然機率很低，但時間久了電子還是會漸漸流失，詳細可參考FLASH DATA RETENTION。在VT圖的表現上是波形往左變寬，要注意不是整個往左偏移，參考圖4

4.Two pass program

前面都是波形變差的例子，最後舉一個變好的例子，two pass在QLC cell是很常見的program方式，原理是將flash充電的過程分階段執行，如此一來可以將Vth的範圍控制得更精準，NAND Flash Program Operation： One Shot VS. Two Pass中有詳細分解寫入的過程

總結

總結來說，波形變化反映出的都是Vth範圍改變，以及cell內電子變多/變少的訊息，而在Flash製作及操作的各個環節都有可能造成影響，希望這幾篇整理可以幫助大家更了解VT圖的呈現的訊息。